https://virgool.ir/feed/@yoosefnikanنیکان تجهیز تامین کننده ملزومات برق صنعتی، کوره القایی، محصولات زیمنس. وارد کننده برترین برندهای اروپایی و چینی.fa2026-11-12 02:26:14https://files.virgool.ir/upload/users/374662/avatar/cAqB9c.pnghttps://virgool.ir/@yoosefnikanhttps://virgool.ir/@yoosefnikan/دیود-تریستور-و-igbt-چیست-چه-کاربردهایی-دارد-و-انواع-آن-ztgwwegvbn13دیود چیست؟اتصال PN ( دیود پیوندی Junction Diode)هرگاه دو کریستال نیمه هادی نوع P و N به هم اتصال یابند،الکترون های آزاد نیمها هادی نوع N که در نزدیک محل اتصال PN قرار دارند به منطقه P نفوذ کرده و با حفره های کریستال نوع P ترکیب میشوند به این ترتیب تعدادی از حفره ها و الکترو نها از بین میروند و شرایط خاصی را بوجود می آورند.دیود سمیکروناتصال PN ( دیود پیوندی Junction Diode)هرگاه دو کریستال نیمه هادی نوع P و N به هم اتصال یابند،الکترون های آزاد نیمها هادی نوع N که در نزدیک محل اتصال PN قرار دارند به منطقه P نفوذ کرده و با حفره های کریستال نوع P ترکیب میشوند به این ترتیب تعدادی از حفره ها و الکترو نها از بین میروند و شرایط خاصی را بوجود می آورند.شماتیک کاری دیودعبور یک الکترون از محل اتصال سبب ایجاد یک جفت یون میشود. هنگامی که ناحیه Nیک اتم پنج ظرفیتی الکترونی از دست میدهد، آن اتم به یون مثبت تبدیل میشود.در مقابلدر ناحیه P اتم های سه ظرفیتی الکترون دریافت میکنند و تبدیل به یون منفی میشوند.ترکیب پی درپی الکترونها با حفره ها در محل پیوندتعداد زیادی یون مثبت و منفی را ایجاد میکند.این یون ها در کریستال ثابت هستند و نمیتوانند مانند الکترو نهای آزاد حرکت کنند. بنابراین در محلپیوند ناحیه ای به نام لایه تخلیه به وجود می آید که در آن حامل های هدایت الکتریکی یعنی الکترونها و حفره ها، وجود ندارد.به ناحیه تخلیه ناحیه سد هم گفته می‌شود.یون‌های مثبت و منفی در ناحیه تخلیه سبب ایجاد میدان الکتریکی می‌شود و نمی‌گذارد الکترون‌های آزاد از محل اتصال عبور کند. هرگاه میدان ایجاد شده به حدی برسد که مانع عبور الکترون از محل اتصال شود، ولتاژی بین دو کریستال P و N به وجود می‌آید ولتاژ ایجاد شده در ناحیه تخلیه، پتانسیل سد نام دارد و مقدار آن برای دیود سیلیکونی حدود 0.7 ولت و برای دیود ژرمانیومی حدود 0.2 ولت می‌باشد. به پیوند P و Nدیود میگویند. https://nikantj.com/product/%d8%ae%d8%b1%db%8c%d8%af-%d8%af%db%8c%d9%88%d8%af-%d8%af%d9%88%d8%a8%d9%84-%d8%b3%d9%85%db%8c%da%a9%d8%b1%d9%88%d9%86/ جهت مشاهده مابقی مقاله میتوانید به صفحه مقاله در این آدرس مراجعه نماییدتریستور چیست؟تریستور سمیکرونتریستور یک نیمه‌ هادی چهار لایه است که در مدارهای قدرت و الکترونیک صنعتی از آن استفاده می‌شود. از تریستور به عنوان «یکسوساز کنترل شده با سیلیکون» (Silicon Controlled Rectifier) یا SCR نیز نام میبرند. برای روشن (ON) شدن آن باید به پایه گیت آن (بخش کنترل شده) یک سیگنال اعمال کرد. در حقیقت، با اعمال سیگنال گیت یک دیود یکسو خواهیم داشت و این متناظر با کلمه یکسوساز در SCR است. در حقیقت، نماد مداری تریستور یک دیود قابل کنترل است. شکل زیر، نماد تریستور را نشان می‌دهد.نماد مداری تریستور برخلاف دیود پیوندی که یک قطعه نیمه‌رسانای دو لایه (P-N) است، یا ترانزیستور دوقطبی متداول که سه لایه دارد (P-N-P یا N-P-N)، تریستور یک قطعه نیمه‌هادی چهار لایه (P-N-P-N) است که سه پیوند PN دارد. مشابه یک دیود، تریستور قطعه‌ای تک‌جهته است و جریان را فقط در یک جهت هدایت می‌کند. اما برخلاف دیود، تریستور بسته به چگونگی سیگنال اعمالی به گیتش می‌تواند به عنوان یک کلید مدار باز یا یک دیود یکسوکننده عمل کند.به عبارت دیگر، تریستورها فقط می‌توانند در حالت کلیدزنی عمل کنند و برای تقویت‌کنندگی به کار نمی‌روند.در حالت خاموش یا OFF، تریستور جریان یک منبع AC را در هر دو جهت سد می‌کند. با روشن یا ON شدن تریستور از طریق اعمال یک جریان مثبت به گیت  عملکرد تریستور مانند یک دیود یکسوساز معمولی خواهد بود. https://nikantj.com/c/%d9%86%db%8c%d9%85%d9%87_%d9%87%d8%a7%d8%af%db%8c/%d8%aa%d8%b1%db%8c%d8%b3%d8%aa%d9%88%d8%b1/ آی جی بی تی IGBT چیست؟ترانزیستور دوقطبی با گِیت عایق شده (Insulated Gate Bipolar Transistor) یا به‌اختصار IGBT، قطعه‌ای نیمه‌رسانا است که عملکردی بین ترانزیستور پیوندی دوقطبی (BJT) و ترانزیستور اثر میدان (MOSFET) دارد. ترانزیستور IGBT بهترین بخش‌های دو ترانزیستور متداول BJT و MOSFET را در ساختار خود دارد. درواقع، امپدانس ورودی بزرگ و سرعت سوئیچینگ بالای MOSFET و ولتاژ اشباع پایین BJT باهم ترکیب شده است و نوع دیگری ترانزیستور به نام IGBTساخته شده که قابلیت عملکرد در مقادیر بالای جریان کلکتور-امیتر را با ولتاژ گیت تقریباً صفر دارد. آی جی بی تی، همان‌گونه که از نامش پیداست، مجهز به فناوری گیت ایزوله شده MOSFET و نیز مشخصه یک ترانزیستور دوقطبی متداول است.ا IGBT ها به طور گسترده در کاربردهای الکترونیک قدرت مانند اینورترها، مبدل‌ها و منابع تغذیه که به قطعات سوئیچینگ حالت‌جامد نیاز داشته و ماسفت‌ها و BJTها در آن‌جا کارایی لازم را ندارند، مورد استفاده قرار می‌گیرند. ترانزیستورهای دو قطبی ولتاژ بالا و جریان بالا در دسترس هستند، اما سرعت سوئیچینگ آن‌ها پایین است. از سوی دیگر، اگرچه سرعت سوئیچینگ ماسفت‌های قدرت بیشتر است، اما قطعات ولتاژ بالا و جریان بالای آن گران هستند. https://nikantj.com/c/%d9%86%db%8c%d9%85%d9%87_%d9%87%d8%a7%d8%af%db%8c/igbt/ جهت مشاهده محصولات و مشاوره فنی به سایت ما مراجعه کنید نیکان تجهیزنیکان تجهیزThu, 12 Nov 2020 13:36:19 +0330